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미세화에 의존하지 않는 차세대 DRAM(디램) 기술
D램 미세화가 막혀 있다. 미세화를 막는 것은 메모리 셀의 셀렉터용 트랜지스터와 셀 캐패시터 양쪽이다. D램 메모리셀은 셀 셀렉터용 트랜지스터인 MOS FET과 전하 축적용 캐패시터로 구성된다. 메.. |
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DRAM 가격, 2018년 4분기 들어 10% 급락
시장조사업체 TrendForce 산하 DRAM eXchange는 5일(대만시간) 2018년 4분기 DRAM 가격이 전기 대비 10% 정도 하락했다고 보고했다.DRAMeXchange에 따르면 PC용 .. |
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마이크론, 96층 낸드플래시 및 1Ynm DRAM 출하 언급
최근의 실적 발표에서 마이크론(Micron)은 2018년 하반기에 96층 3D NAND 기술을 사용하여 대량 출하를 진행하고 있다고 밝혔다. 현재 대부분의 SSD는 32층 기술을 사용하며 최근에는 .. |
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인텔, 기존의 DRAM을 대체하는 3D XPoint NVDIMM 연내 투
인텔은 17일, 도내에서 회사의 데이터 센터 사업에 관한 기자 설명회를 개최했다.설명회에는 미국 Intel 데이터 센터 사업 본부 부사장 겸 Intel Xeon 프로세서/데이터 센터·마케팅 사업 부.. |
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중국 대규모 메모리 반도체 제조, 내년부터 본격 가동
드디어 올것이 오는 것인가, 대만 시장 조사 회사 DRAMeXchange는 중국 내 3개 반도체 제조 업체가 낸드 플래시 및 DRAM 생산을 2019년부터 시작한다고 보고했다.보고서에 따르면 대규모.. |
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